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STRH12P10GYT Datenblatt (PDF) - STMicroelectronics
STRH12P10GYT Datasheet PDF - STMicroelectronics
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Hersteller  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
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Bauteilbeschribung Rad-Hard 100 V, 12 A, P-channel Power MOSFET

STRH12P10GYT Datasheet (PDF)

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STRH12P10GYT Produktdetails

Features
• Fast switching
• 100% avalanche tested
• Hermetic package
• 100 krad TID
• SEE radiation hardened

Description
The STRH12P10 is a P-channel Power MOSFET able to operate under severe
environment conditions and radiation exposure.
It provides high reliability performance and immunity to the total ionizing dose (TID)
and single event effects (SEE).
Qualified as per ESCC detail specification No. 5205/029 and available in TO-257AA
hermetic package, it is specifically recommended for space and harsh environment
applications and suitable for in-Satellite power conversion, motor control and power
switch circuits.
In case of discrepancies between this datasheet and the relevant agency
specification, the latter takes precedence.




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Über STMicroelectronics

Stmicroelectronics ist ein multinationaler Elektronik- und Halbleiterhersteller mit Sitz in Genf, Schweiz.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten an, darunter Mikrocontroller, Sensoren, Stromverstärker und integrierte Schaltkreise für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

STMICROELECTRONICS wurde 1987 gegründet und ist in über 100 Ländern betrieben und ist eines der größten Halbleiterunternehmen der Welt.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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