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RF5L08350CB4 Datenblatt (PDF) - STMicroelectronics
RF5L08350CB4 Datasheet PDF - STMicroelectronics
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Bauteilbeschribung 400 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor

RF5L08350CB4 Datasheet (PDF)

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Bauteilbeschribung 400 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor

RF5L08350CB4 Datenblatt (HTML) - STMicroelectronics


RF5L08350CB4 Produktdetails

Features
• High efficiency and linear gain operations
• Integrated ESD protection
• Internally matched for ease of use
• Large positive and negative gate-source voltage range for improved class C
operation
• Excellent thermal stability, low HCI drift
• In compliance with the European Directive 2002/95/EC

Description
The RF5L08350CB4 is a 400 W, 50 V high-performance, internally matched LDMOS
FET, designed for multiple applications over the frequency band 0.4 to 1 GHz.

Applications
• Wideband lab amplifier from 0.4 to 1 GHz
• Digital UHF TV 470-860 MHz
• 650 MHz particle accelerator
• 915 MHz RF energy applications




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Über STMicroelectronics

Stmicroelectronics ist ein multinationaler Elektronik- und Halbleiterhersteller mit Sitz in Genf, Schweiz.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten an, darunter Mikrocontroller, Sensoren, Stromverstärker und integrierte Schaltkreise für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

STMICROELECTRONICS wurde 1987 gegründet und ist in über 100 Ländern betrieben und ist eines der größten Halbleiterunternehmen der Welt.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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