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STPSC20065C Datenblatt (PDF) - STMicroelectronics
STPSC20065C Datasheet PDF - STMicroelectronics
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Bauteilbeschribung 650 V, dual 10 A, power Schottky silicon carbide diode

STPSC20065C Datasheet (PDF)

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Bauteilbeschribung 650 V, dual 10 A, power Schottky silicon carbide diode

STPSC20065C Datenblatt (HTML) - STMicroelectronics


STPSC20065C Produktdetails

Features
• No or negligible reverse recovery
• Switching behavior independent of temperature
• Low Forward voltage drop
• Operating Tj from -40 °C to +175 °C
• ECOPACK2 compliant component
• Power efficient product

Description
The STPSC20065C is an ultra-high performance power Schottky diode. It is
manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows
the design of a Schottky diode structure with a 650 V rating. Due to the Schottky
construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The
minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature.
Especially suited for use in PFC applications, this ST SiC diode will boost
performance in hard switching conditions. Its high forward surge capability ensures
good robustness during transient phases.

Applications
• Air conditioning equipment
• PFC
• OBC (On board battery chargers)
• Server Power supplies
• Telecom power




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Über STMicroelectronics

Stmicroelectronics ist ein multinationaler Elektronik- und Halbleiterhersteller mit Sitz in Genf, Schweiz.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten an, darunter Mikrocontroller, Sensoren, Stromverstärker und integrierte Schaltkreise für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

STMICROELECTRONICS wurde 1987 gegründet und ist in über 100 Ländern betrieben und ist eines der größten Halbleiterunternehmen der Welt.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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