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SH32N65DM6AG Datenblatt (PDF) - STMicroelectronics
SH32N65DM6AG Datasheet PDF - STMicroelectronics
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Bauteilbeschribung Automotive-grade N-channel 650 V, 89 m typ., 32 A MDmesh DM6 half‑bridge topology Power MOSFET in an ACEPACK SMIT package

SH32N65DM6AG Datasheet (PDF)

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SH32N65DM6AG Datenblatt (HTML) - STMicroelectronics


SH32N65DM6AG Produktdetails

Features
• AQG 324 qualified
• Half-bridge power module
• 650 V blocking voltage
• Fast recovery body diode
• Very low switching energies
• Low package inductance
• Dice on direct bond copper (DBC) substrate
• Low thermal resistance
• Isolation rating of 3.4 kVrms/min

Description
This device combines two MOSFETs in a half-bridge topology. The ACEPACK SMIT
is a very compact and rugged power module in a surface mount package for easy
assembly. Thanks to the DBC substrate, the ACEPACK SMIT package offers low
thermal resistance coupled with an isolated top-side thermal pad. The high design
flexibility of the package enables several configurations, including phase legs, boost,
and single switch through different combinations of the internal power switches.




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Über STMicroelectronics

Stmicroelectronics ist ein multinationaler Elektronik- und Halbleiterhersteller mit Sitz in Genf, Schweiz.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten an, darunter Mikrocontroller, Sensoren, Stromverstärker und integrierte Schaltkreise für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

STMICROELECTRONICS wurde 1987 gegründet und ist in über 100 Ländern betrieben und ist eines der größten Halbleiterunternehmen der Welt.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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