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STD12N60DM2AG Datenblatt (PDF) - STMicroelectronics
STD12N60DM2AG Datasheet PDF - STMicroelectronics
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Hersteller  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
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Bauteilbeschribung Automotive-grade N-channel 600 V, 380 m typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

STD12N60DM2AG Datasheet (PDF)

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Bauteilbeschribung Automotive-grade N-channel 600 V, 380 m typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

STD12N60DM2AG Datenblatt (HTML) - STMicroelectronics


STD12N60DM2AG Produktdetails

Features
• AEC-Q101 qualified
• Fast-recovery body diode
• Extremely low gate charge and input capacitance
• Low on-resistance
• 100% avalanche tested
• Extremely high dv/dt ruggedness
• Zener-protected

Description
This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM2 fastrecovery
diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined
with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high-efficiency
converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

Applications
• Switching applications




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Über STMicroelectronics

Stmicroelectronics ist ein multinationaler Elektronik- und Halbleiterhersteller mit Sitz in Genf, Schweiz.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten an, darunter Mikrocontroller, Sensoren, Stromverstärker und integrierte Schaltkreise für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

STMICROELECTRONICS wurde 1987 gegründet und ist in über 100 Ländern betrieben und ist eines der größten Halbleiterunternehmen der Welt.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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