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STL38DN6F7AG Datenblatt (PDF) - STMicroelectronics
STL38DN6F7AG Datasheet PDF - STMicroelectronics
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Bauteilbeschribung Automotive-grade N-channel 60 V, 24 m typ., 10 A STripFET™ F7 Power MOSFET in a PowerFLAT™ 5x6 double island package

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Bauteilbeschribung Automotive-grade N-channel 60 V, 24 m typ., 10 A STripFET™ F7 Power MOSFET in a PowerFLAT™ 5x6 double island package

STL38DN6F7AG Datenblatt (HTML) - STMicroelectronics


STL38DN6F7AG Produktdetails

Features
• AEC-Q101 qualified
• Among the lowest RDS(on) on the market
• Excellent FoM (figure of merit)
• Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity
• High avalanche ruggedness

Description
This N-channel Power MOSFET utilizes STripFET™ F7 technology with an
enhanced trench gate structure that results in very low on-state resistance, while also
reducing internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.

Applications
• Switching applications




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Über STMicroelectronics

Stmicroelectronics ist ein multinationaler Elektronik- und Halbleiterhersteller mit Sitz in Genf, Schweiz.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten an, darunter Mikrocontroller, Sensoren, Stromverstärker und integrierte Schaltkreise für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

STMICROELECTRONICS wurde 1987 gegründet und ist in über 100 Ländern betrieben und ist eines der größten Halbleiterunternehmen der Welt.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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