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STS8DN6LF6AG Datenblatt (PDF) - STMicroelectronics
STS8DN6LF6AG Datasheet PDF - STMicroelectronics
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Bauteilbeschribung Automotive-grade dual N-channel 60 V, 21 m typ., 8 A STripFET F6 Power MOSFET in a SO-8 package

STS8DN6LF6AG Datasheet (PDF)

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STS8DN6LF6AG Datenblatt (HTML) - STMicroelectronics


STS8DN6LF6AG Produktdetails

Features
• AEC-Q101 qualified
• Very low on-resistance
• Very low gate charge
• High avalanche ruggedness
• Low gate drive power loss
• Logic level

Description
This device is a dual N-channel Power MOSFET developed using the STripFET F6
technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits
very low RDS(on) in all packages.

Applications
• Switching applications




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Über STMicroelectronics

Stmicroelectronics ist ein multinationaler Elektronik- und Halbleiterhersteller mit Sitz in Genf, Schweiz.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten an, darunter Mikrocontroller, Sensoren, Stromverstärker und integrierte Schaltkreise für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

STMICROELECTRONICS wurde 1987 gegründet und ist in über 100 Ländern betrieben und ist eines der größten Halbleiterunternehmen der Welt.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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