STB10LN80K5 Datenblatt(PDF) - STMicroelectronics

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STB10LN80K5 Datenblatt (PDF) - STMicroelectronics

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STB10LN80K5 Produktdetails

Features
 Industry’s lowest RDS(on) x area
 Industry’s best figure of merit (FoM)
 Ultra-low gate charge
 100% avalanche tested
 Zener-protected

Applications
 Switching applications

Description
This very high voltage N-channel Power
MOSFET is designed using MDmesh™ K5
technology based on an innovative proprietary
vertical structure. The result is a dramatic
reduction in on-resistance and ultra-low gate
charge for applications requiring superior power
density and high efficiency.

Ähnliche Teilenummer - STB10LN80K5

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
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	STB1008030A	354Kb / 2P	Epoxy Coated Steel Enclosures
	STB1008040A	354Kb / 2P	Epoxy Coated Steel Enclosures
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Inchange Semiconductor ...	STB100N10F7	315Kb / 2P	Isc N-Channel MOSFET Transistor

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	STD4LN80K5	814Kb / 15P	N-channel 800 V, 2.1 Ω typ., 3 A MDmesh™ K5 Power MOSFET in a DPAK package 18-May-2016
	STD9N80K5	387Kb / 19P	N-channel 800 V, 0.73 Ω typ., 7 A MDmesh™ K5 Power MOSFET in a DPAK package 12-Nov-2018
	STP14N80K5	725Kb / 14P	N-channel 800 V, 0.400 Ω typ., 12 A MDmesh™ K5 Power MOSFET in a TO-220 package 04-Mar-2016

Über STMicroelectronics

Stmicroelectronics ist ein multinationaler Elektronik- und Halbleiterhersteller mit Sitz in Genf, Schweiz.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten an, darunter Mikrocontroller, Sensoren, Stromverstärker und integrierte Schaltkreise für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

STMICROELECTRONICS wurde 1987 gegründet und ist in über 100 Ländern betrieben und ist eines der größten Halbleiterunternehmen der Welt.

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