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STB18N60M6 Datenblatt (PDF) - STMicroelectronics
STB18N60M6 Datasheet PDF - STMicroelectronics
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Bauteilbeschribung N-channel 600 V, 230 mΩ typ., 13 A, MDmesh M6 Power MOSFET in a D²PAK package

STB18N60M6 Datasheet (PDF)

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Bauteilbeschribung N-channel 600 V, 230 mΩ typ., 13 A, MDmesh M6 Power MOSFET in a D²PAK package

STB18N60M6 Datenblatt (HTML) - STMicroelectronics


STB18N60M6 Produktdetails

Features
• Reduced switching losses
• Lower RDS(on) per area vs previous generation
• Low gate input resistance
• 100% avalanche tested
• Zener-protected

Applications
• Switching applications
• LLC converters
• Boost PFC converters

Description
The new MDmesh M6 technology incorporates the most recent advancements to the
well-known and consolidated MDmesh family of SJ MOSFETs. STMicroelectronics
builds on the previous generation of MDmesh devices through its new M6
technology, which combines excellent RDS(on) per area improvement with one of the
most effective switching behaviors available, as well as a user-friendly experience for
maximum end-application efficiency.




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Über STMicroelectronics

Stmicroelectronics ist ein multinationaler Elektronik- und Halbleiterhersteller mit Sitz in Genf, Schweiz.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten an, darunter Mikrocontroller, Sensoren, Stromverstärker und integrierte Schaltkreise für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

STMICROELECTRONICS wurde 1987 gegründet und ist in über 100 Ländern betrieben und ist eines der größten Halbleiterunternehmen der Welt.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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