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STB33N60DM6 Datenblatt (PDF) - STMicroelectronics
STB33N60DM6 Datasheet PDF - STMicroelectronics
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Bauteilbeschribung N-channel 600 V, 115 mΩ typ., 25 A, MDmesh DM6 Power MOSFET in a D2PAK package

STB33N60DM6 Datasheet (PDF)

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Bauteilbeschribung N-channel 600 V, 115 mΩ typ., 25 A, MDmesh DM6 Power MOSFET in a D2PAK package

STB33N60DM6 Datenblatt (HTML) - STMicroelectronics


STB33N60DM6 Produktdetails

Features
• Fast-recovery body diode
• Lower RDS(on) per area vs previous generation
• Low gate charge, input capacitance and resistance
• 100% avalanche tested
• Extremely high dv/dt ruggedness
• Zener-protected

Applications
• Switching applications

Description
This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM6 fastrecovery
diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6
combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent
improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviors
available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and
ZVS phase-shift converters.




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Über STMicroelectronics

Stmicroelectronics ist ein multinationaler Elektronik- und Halbleiterhersteller mit Sitz in Genf, Schweiz.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten an, darunter Mikrocontroller, Sensoren, Stromverstärker und integrierte Schaltkreise für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

STMICROELECTRONICS wurde 1987 gegründet und ist in über 100 Ländern betrieben und ist eines der größten Halbleiterunternehmen der Welt.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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