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STF33N60DM2 Datenblatt (PDF) - STMicroelectronics
STF33N60DM2 Datasheet PDF - STMicroelectronics
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Bauteilbeschribung N-channel 600 V, 0.110 Ω typ., 24 A MDmesh™ DM2 Power MOSFET in TO-220FP package

STF33N60DM2 Datasheet (PDF)

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Bauteilbeschribung N-channel 600 V, 0.110 Ω typ., 24 A MDmesh™ DM2 Power MOSFET in TO-220FP package

STF33N60DM2 Datenblatt (HTML) - STMicroelectronics


STF33N60DM2 Produktdetails

Features
 Fast-recovery body diode
 Extremely low gate charge and input
capacitance
 Low on-resistance
 100% avalanche tested
 Extremely high dv/dt ruggedness
 Zener-protected

Applications
 Switching applications

Description
This high voltage N-channel Power MOSFET is
part of the MDmesh™ DM2 fast recovery diode
series. It offers very low recovery charge (Qrr)
and time (trr) combined with low RDS(on), rendering
it suitable for the most demanding high efficiency
converters and ideal for bridge topologies and
ZVS phase-shift converters.




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Über STMicroelectronics

Stmicroelectronics ist ein multinationaler Elektronik- und Halbleiterhersteller mit Sitz in Genf, Schweiz.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten an, darunter Mikrocontroller, Sensoren, Stromverstärker und integrierte Schaltkreise für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

STMICROELECTRONICS wurde 1987 gegründet und ist in über 100 Ländern betrieben und ist eines der größten Halbleiterunternehmen der Welt.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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