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STFW3N150 Datenblatt (PDF) - STMicroelectronics
STFW3N150 Datasheet PDF - STMicroelectronics
Teilenummer STFW3N150_V01
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Hersteller  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
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Bauteilbeschribung N-channel 1500 V, 2.5 A, 6 Ω typ., PowerMESH Power MOSFETs in TO-3PF, H2PAK-2, TO-220 and TO247 packages

STFW3N150 Datasheet (PDF)

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Bauteilbeschribung N-channel 1500 V, 2.5 A, 6 Ω typ., PowerMESH Power MOSFETs in TO-3PF, H2PAK-2, TO-220 and TO247 packages

STFW3N150 Datenblatt (HTML) - STMicroelectronics


STFW3N150 Produktdetails

Features
• 100% avalanche tested
• Intrinsic capacitances and Qg minimized
• High speed switching
• Fully isolated TO-3PF plastic package, creepage distance path is 5.4 mm (typ.)

Applications
• Switching applications

Description
These Power MOSFETs are designed using the STMicroelectronics consolidated
strip-layout-based MESH OVERLAY process. The result is a product that matches or
improves on the performance of comparable standard parts from other
manufacturers.




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Über STMicroelectronics

Stmicroelectronics ist ein multinationaler Elektronik- und Halbleiterhersteller mit Sitz in Genf, Schweiz.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten an, darunter Mikrocontroller, Sensoren, Stromverstärker und integrierte Schaltkreise für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

STMICROELECTRONICS wurde 1987 gegründet und ist in über 100 Ländern betrieben und ist eines der größten Halbleiterunternehmen der Welt.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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