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STH110N7F6-2 Datenblatt (PDF) - STMicroelectronics
STH110N7F6-2 Datasheet PDF - STMicroelectronics
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Bauteilbeschribung N-channel 68 V, 0.0053 Ω typ.,110 A, STripFET™ F6 Power MOSFET in a H2PAK-2 package

STH110N7F6-2 Datasheet (PDF)

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STH110N7F6-2 Datenblatt (HTML) - STMicroelectronics


STH110N7F6-2 Produktdetails

Features
• Very low on-resistance
• Very low gate charge
• High avalanche ruggedness
• Low gate drive power loss

Applications
• Switching applications

Description
This device is an N-channel Power MOSFET
developed using the STripFET™ F6 technology
with a new trench gate structure. The resulting
Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all
packages.




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Über STMicroelectronics

Stmicroelectronics ist ein multinationaler Elektronik- und Halbleiterhersteller mit Sitz in Genf, Schweiz.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten an, darunter Mikrocontroller, Sensoren, Stromverstärker und integrierte Schaltkreise für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

STMICROELECTRONICS wurde 1987 gegründet und ist in über 100 Ländern betrieben und ist eines der größten Halbleiterunternehmen der Welt.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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