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STW20N60M2-EP Datenblatt (PDF) - STMicroelectronics
STW20N60M2-EP Datasheet PDF - STMicroelectronics
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Bauteilbeschribung N-channel 600 V, 0.230 Ω typ., 13 A MDmesh™ M2 EP Power MOSFET in a TO-247 package

STW20N60M2-EP Datasheet (PDF)

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STW20N60M2-EP Datenblatt (HTML) - STMicroelectronics


STW20N60M2-EP Produktdetails

Features
• Extremely low gate charge
• Excellent output capacitance (COSS) profile
• Very low turn-off switching losses
• 100% avalanche tested
• Zener-protected

Applications
• Switching applications
• Tailored for very high frequency converters (f > 150 kHz)

Description
This device is an N-channel Power MOSFET developed using MDmesh™
M2 enhanced performance (EP) technology. Thanks to its strip layout and an
improved vertical structure, the device exhibits low on-resistance, optimized switching
characteristics with very low turn-off switching losses, rendering it suitable for the
most demanding very high frequency converters.




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Über STMicroelectronics

Stmicroelectronics ist ein multinationaler Elektronik- und Halbleiterhersteller mit Sitz in Genf, Schweiz.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten an, darunter Mikrocontroller, Sensoren, Stromverstärker und integrierte Schaltkreise für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

STMICROELECTRONICS wurde 1987 gegründet und ist in über 100 Ländern betrieben und ist eines der größten Halbleiterunternehmen der Welt.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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