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STW30N80K5 Datenblatt (PDF) - STMicroelectronics
STW30N80K5 Datasheet PDF - STMicroelectronics
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Bauteilbeschribung N-channel 800 V, 0.15 Ω typ., 24 A, MDmesh™ K5 Power MOSFET in a TO-247 package

STW30N80K5 Datasheet (PDF)

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Bauteilbeschribung N-channel 800 V, 0.15 Ω typ., 24 A, MDmesh™ K5 Power MOSFET in a TO-247 package

STW30N80K5 Datenblatt (HTML) - STMicroelectronics


STW30N80K5 Produktdetails

Features
 Industry’s lowest RDS(on) x area
 Industry’s best FoM (figure of merit)
 Ultra-low gate charge
 100% avalanche tested
 Zener-protected

Applications
 Switching applications

Description
This very high voltage N-channel Power
MOSFET is designed using MDmesh™ K5
technology based on an innovative proprietary
vertical structure. The result is a dramatic
reduction in on-resistance and ultra-low gate
charge for applications requiring superior power
density and high efficiency.




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Über STMicroelectronics

Stmicroelectronics ist ein multinationaler Elektronik- und Halbleiterhersteller mit Sitz in Genf, Schweiz.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten an, darunter Mikrocontroller, Sensoren, Stromverstärker und integrierte Schaltkreise für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

STMICROELECTRONICS wurde 1987 gegründet und ist in über 100 Ländern betrieben und ist eines der größten Halbleiterunternehmen der Welt.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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