NMSD200B01 Datenblatt(PDF) - Diodes Incorporated

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NMSD200B01 Datenblatt (PDF) - Diodes Incorporated

NMSD200B01 Datasheet PDF - Diodes Incorporated


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200 mA SYNCHRONOUS RECTIFIER FEATURING N-MOSFET AND SCHOTTKY DIODE

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NMSD200B01 Produktdetails

General Description
• NMSD200B01 is best suited for switching voltage regulator and power management applications. It improves efficiency and reliability of DC-DC controllers used in Voltage Regulator Modules (VRM) and can support continuous maximum current of 200mA. It features an ESD protected discrete N-MOSFET with low on-resistance and a discrete Schottky diode with low forward drop. It reduces component count, consumes less space and minimizes parasitic losses. The component devices can be used as a part of a circuit or as a stand alone discrete device.

Features
• N-MOSFET with ESD Gate Protection
• N-MOSFET with Low On-Resistance (RDS(ON))
• Low Vf Schottky Diode
• Low Static, Switching and Conduction Losses
• Good Dynamic Performance
• Surface Mount Package Suited for Automated Assembly
• Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1)
• "Green" Device (Note 2)

Ähnliche Teilenummer - NMSD200B01

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
C&D Technologies	NMS	109Kb / 2P	6kVDC Isolated 2W Dual Output DC-DC Converters
Murata Power Solutions ...	NMS	129Kb / 4P	6kVDC Isolated 2W Dual Output DC-DC Converters 2023
Richco, Inc.	NMS-306	37Kb / 1P	NYLON METRIC SCREWS
	NMS-308	37Kb / 1P	NYLON METRIC SCREWS
	NMS-310	37Kb / 1P	NYLON METRIC SCREWS

Ähnliche Beschreibung - NMSD200B01

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Diodes Incorporated	LMN200B01	570Kb / 10P	200 mA LOAD SWITCH FEATURING PRE-BIASED PNP TRANSISTOR AND N-MOSFET WITH PULL DOWN RESISTOR DS30651 Rev. 7 - 2
	LMN200B02	522Kb / 10P	200 mA LOAD SWITCH FEATURING PRE-BIASED PNP TRANSISTOR AND N-MOSFET WITH GATE PULL DOWN RESISTOR DS30658 Rev. 4 - 2
	LMN200B02	251Kb / 10P	200 mA LOAD SWITCH FEATURING PRE-BIASED PNP TRANSISTOR AND N-MOSFET DS30658 Rev. 7 - 2
Micro Commercial Compon...	RB520S-40	182Kb / 2P	200 mA Schottky Barrier Diode 40 Volts
Cystech Electonics Corp...	MTB1K6N06KS6R	308Kb / 10P	200mA Sychronous Rectifier featuring N-MOSFET and Schottky Diode
Micro Commercial Compon...	RB520S-40	313Kb / 3P	200 mA Schottky Barrier Diode 40 Volts
Microsemi Corporation	1N6675UR-1	417Kb / 6P	200 and 500 mA Schottky Barrier Rectifier
Nexperia B.V. All right...	BAT721	191Kb / 8P	40 V, 200 mA Schottky barrier diode 1 October 2022
	BAT721-Q	191Kb / 8P	40 V, 200 mA Schottky barrier diode 3 May 2023
	RB521S30-Q	229Kb / 11P	200 mA low VF Schottky barrier rectifier 20 April 2023

Über Diodes Incorporated

DioDes Incorporated ist ein börsennotiertes Unternehmen, das eine breite Palette von diskreten, analogen und gemischten Signal-Halbleitern und vollständigen Leistungslösungen entwirft, produziert und liefert.
Das Unternehmen wurde 1964 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Plano, Texas.
Es arbeitet weltweit mit Vertriebs-, Support- und Designzentren in Nordamerika, Europa und Asien.
DioDes Incorporated dient einer Vielzahl von Branchen, darunter Automobil, Kommunikation, Computer, Verbraucher und Industrie.
Das Unternehmen bietet unter anderem eine breite Palette von Produkten, darunter Dioden, Gleichrichter, Transistoren, Spannungsregulatoren, MOSFETs, LED -Treiber und Schutzgeräte.
Die Mission des Unternehmens ist es, den Kunden qualitativ hochwertige, qualitativ zuverlässige Produkte und hervorragende Kundenservice zu bieten.
Mit dem Fokus auf Innovation und Kundenzufriedenheit ist DioDes Incorporated verpflichtet, ein führender Anbieter von Power Management -Lösungen zu werden.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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