RFLW3N Datenblatt(PDF) - Vishay Siliconix

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RFLW3N Datenblatt (PDF) - Vishay Siliconix

RFLW3N Datasheet PDF - Vishay Siliconix


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Hersteller	VISHAY [Vishay Siliconix]

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High Frequency Wire Bondable RF Spiral Inductor, 0.030" x 0.030"

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RFLW3N Produktdetails

FEATURES
• High frequency
• Wire bond assembly
• Small size: 0.030" x 0.030" x 0.020"
• Low DCR, high Q
• Low parasitic capacitance, high SRF
• Equivalent circuit model enclosed
• S parameter files available for download
• Sample kit available
• Material categorization: for definitions of compliance
please see www.vishay.com/doc?99912

APPLICATIONS
• RF choking for DC biasing
• RF tuning circuits
• Lumped element filters

Ähnliche Teilenummer - RFLW3N

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Vishay Siliconix	RFLW3N	307Kb / 5P	High Frequency Wire Bondable RF Spiral Inductor 17-Sep-13
	RFLW3N1200ALNT0	265Kb / 5P	High Frequency Wire Bondable RF Spiral Inductor, 0.050" x 0.050" 17-Sep-13
	RFLW3N1200ALNT1	265Kb / 5P	High Frequency Wire Bondable RF Spiral Inductor, 0.050" x 0.050" 17-Sep-13
	RFLW3N1200ALNTS	265Kb / 5P	High Frequency Wire Bondable RF Spiral Inductor, 0.050" x 0.050" 17-Sep-13
	RFLW3N1200ALNWS	265Kb / 5P	High Frequency Wire Bondable RF Spiral Inductor, 0.050" x 0.050" 17-Sep-13

Ähnliche Beschreibung - RFLW3N

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Fairchild Semiconductor	HUFA75637P3	202Kb / 10P	44A, 100V, 0.030 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET
Intersil Corporation	HUF75531SK8	183Kb / 12P	6A, 80V, 0.030 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET April 2000
	RFF60P06	88Kb / 8P	25A?? 60V, 0.030 Ohm, P-Channel Power MOSFET September 1998
	RFG60P05E	94Kb / 7P	60A, 50V, 0.030 Ohm, ESD Rated, P-Channel Power MOSFET July 1999
	RFP150N	127Kb / 10P	44A, 100V, 0.030 Ohm, N-Channel Power MOSFET March 2000
Fairchild Semiconductor	IRFP150N	148Kb / 10P	44A, 100V, 0.030 Ohm, N-Channel Power MOSFET
Anaren Microwave	R1K131350R0G5F3	167Kb / 2P	Wire Bondable
Vishay Siliconix	RFLW3N	307Kb / 5P	High Frequency Wire Bondable RF Spiral Inductor 17-Sep-13
	RFLW5N	265Kb / 5P	High Frequency Wire Bondable RF Spiral Inductor, 0.050" x 0.050" 17-Sep-13
	RFLW5N	274Kb / 5P	High Frequency Wire Bondable RF Spiral Inductor, 0.050" x 0.050" 29-Jan-2020

Über Vishay Siliconix

Vishay Siliconix ist eine Tochtergesellschaft von Vishay Intertechnology, einem globalen Hersteller passiver elektronischer Komponenten.
Vishay Siliconix ist spezialisiert auf das Design, die Herstellung und Vermarktung von Energie -MOSFETs, IGBTs und anderen Power -Halbleitern.
Das Unternehmen wurde 1962 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Santa Clara, Kalifornien.
Vishay Siliconix bietet Power Solutions für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter erneuerbare Energiesysteme, Industriegeräte, Computer und Telekommunikation sowie Automobilelektronik.
Die Produkte des Unternehmens sind für hohe Effizienz, geringem Stromverbrauch und hohe Zuverlässigkeit ausgelegt und werden in hochmodernen Einrichtungen mit fortschrittlichen Herstellungsprozessen hergestellt.
Mit dem Fokus auf Innovation und Kundenzufriedenheit setzt sich Vishay Siliconix dafür ein, den Kunden die besten Stromverwaltungslösungen für ihre Bedürfnisse zu bieten.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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