RFLW5N Datenblatt(PDF) - Vishay Siliconix

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RFLW5N Datenblatt (PDF) - Vishay Siliconix

RFLW5N Datasheet PDF - Vishay Siliconix


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Hersteller	VISHAY [Vishay Siliconix]

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High Frequency Wire Bondable RF Spiral Inductor, 0.050" x 0.050"

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RFLW5N Produktdetails

FEATURES
• High frequency
• Wire bond assembly
• Small size: 0.050" x 0.050" x 0.020"
• Low DCR, high Q
• Low parasitic capacitance, high SRF
• Equivalent circuit model enclosed
• S parameter files available for download
• Sample kit available
• Material categorization: for definitions of compliance
please see www.vishay.com/doc?99912

APPLICATIONS
• RF choking for DC biasing
• RF tuning circuits
• Lumped element filters

Ähnliche Teilenummer - RFLW5N

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Vishay Siliconix	RFLW5N	265Kb / 5P	High Frequency Wire Bondable RF Spiral Inductor, 0.050" x 0.050" 17-Sep-13
	RFLW5N1200ALNT0	265Kb / 5P	High Frequency Wire Bondable RF Spiral Inductor, 0.050" x 0.050" 17-Sep-13
	RFLW5N1200ALNT1	265Kb / 5P	High Frequency Wire Bondable RF Spiral Inductor, 0.050" x 0.050" 17-Sep-13
	RFLW5N1200ALNTS	265Kb / 5P	High Frequency Wire Bondable RF Spiral Inductor, 0.050" x 0.050" 17-Sep-13
	RFLW5N1200ALNWS	265Kb / 5P	High Frequency Wire Bondable RF Spiral Inductor, 0.050" x 0.050" 17-Sep-13

Ähnliche Beschreibung - RFLW5N

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Fairchild Semiconductor	HUF76105SK8	330Kb / 12P	5.5A, 30V, 0.050 Ohm, N-Channel, Logic
Intersil Corporation	FRE160D	49Kb / 6P	41A, 100V, 0.050 Ohm, Rad Hard, N-Channel Power MOSFETs June 1998
Intersil Corporation	HUF76105SK8	123Kb / 12P	5.5A, 30V, 0.050 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET 1999 05
Solid States Devices, I...	SFF1310M	60Kb / 2P	40 AMPS 200 VOLTS 0.050 廓 N-CHANNEL POWER MOSFET
International Rectifier	IRF7303PBF	230Kb / 9P	HEXFET Power MOSFET (VDSS = 30V , RDS(on) = 0.050廓 )
Aries Electronics, Inc.	28-505-110	626Kb / 1P	PLCC-to-PGA JEDEC Type 0.050 [1.27] Pitch Adapter
Anaren Microwave	R1K131350R0G5F3	167Kb / 2P	Wire Bondable
Vishay Siliconix	RFLW3N	307Kb / 5P	High Frequency Wire Bondable RF Spiral Inductor 17-Sep-13
	RFLW5N	265Kb / 5P	High Frequency Wire Bondable RF Spiral Inductor, 0.050" x 0.050" 17-Sep-13
	RFLW3N	364Kb / 5P	High Frequency Wire Bondable RF Spiral Inductor, 0.030" x 0.030" 30-Jan-2020

Über Vishay Siliconix

Vishay Siliconix ist eine Tochtergesellschaft von Vishay Intertechnology, einem globalen Hersteller passiver elektronischer Komponenten.
Vishay Siliconix ist spezialisiert auf das Design, die Herstellung und Vermarktung von Energie -MOSFETs, IGBTs und anderen Power -Halbleitern.
Das Unternehmen wurde 1962 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Santa Clara, Kalifornien.
Vishay Siliconix bietet Power Solutions für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter erneuerbare Energiesysteme, Industriegeräte, Computer und Telekommunikation sowie Automobilelektronik.
Die Produkte des Unternehmens sind für hohe Effizienz, geringem Stromverbrauch und hohe Zuverlässigkeit ausgelegt und werden in hochmodernen Einrichtungen mit fortschrittlichen Herstellungsprozessen hergestellt.
Mit dem Fokus auf Innovation und Kundenzufriedenheit setzt sich Vishay Siliconix dafür ein, den Kunden die besten Stromverwaltungslösungen für ihre Bedürfnisse zu bieten.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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