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T55 Datenblatt (PDF) - Vishay Siliconix
T55 Datasheet PDF - Vishay Siliconix
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Hersteller  VISHAY [Vishay Siliconix]
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Bauteilbeschribung vPolyTanTM Polymer Surface-Mount Chip Capacitors, Molded Case, High Performance Type

T55 Datasheet (PDF)

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Hersteller  VISHAY [Vishay Siliconix]
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Bauteilbeschribung vPolyTanTM Polymer Surface-Mount Chip Capacitors, Molded Case, High Performance Type

T55 Datenblatt (HTML) - Vishay Siliconix


T55 Produktdetails

FEATURES
• Ultra low ESR
• 100 % surge current tested
• Accelerated voltage conditioning
• High ripple current capability
• Stable capacitance over operating temperature,
voltage, and frequency range
• No wear out effect
• Molded case available in 9 case codes
• Terminations:
cases C, J, P: 100 % tin
case A, T, B, Z, V, D: Ni / Pd / Au
• Compatible with “high volume” automatic pick and place
equipment
• Moisture sensitivity level 3
• Material categorization: for definitions of compliance
please see www.vishay.com/doc?99912




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Über Vishay Siliconix

Vishay Siliconix ist eine Tochtergesellschaft von Vishay Intertechnology, einem globalen Hersteller passiver elektronischer Komponenten.
Vishay Siliconix ist spezialisiert auf das Design, die Herstellung und Vermarktung von Energie -MOSFETs, IGBTs und anderen Power -Halbleitern.
Das Unternehmen wurde 1962 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Santa Clara, Kalifornien.
Vishay Siliconix bietet Power Solutions für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter erneuerbare Energiesysteme, Industriegeräte, Computer und Telekommunikation sowie Automobilelektronik.
Die Produkte des Unternehmens sind für hohe Effizienz, geringem Stromverbrauch und hohe Zuverlässigkeit ausgelegt und werden in hochmodernen Einrichtungen mit fortschrittlichen Herstellungsprozessen hergestellt.
Mit dem Fokus auf Innovation und Kundenzufriedenheit setzt sich Vishay Siliconix dafür ein, den Kunden die besten Stromverwaltungslösungen für ihre Bedürfnisse zu bieten.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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