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IXFR44N50P Datenblatt (PDF) - IXYS Corporation

IXFR44N50P Datasheet PDF - IXYS Corporation
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IXFR44N50P Datasheet (PDF)

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IXFR44N50P Datenblatt (HTML) - IXYS Corporation


IXFR44N50P Produktdetails

 VDSS = 500 V

ID25 =24 A

RDS(on) ≤ 150 mΩ

trr ≤ 200 ns



N-Channel Enhancement

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode



Features

International standard isolated package

UL recognized package

Silicon chip on Direct-Copper-Bond substrate

- High power dissipation

- Isolated mounting surface

- 2500V electrical isolation

Unclamped Inductive Switching (UIS) rated

Low package inductance

- easy to drive and to protect

Fast intrinsic diode




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Über IXYS Corporation


Die IXYS Corporation ist ein Technologieunternehmen, das sich auf das Design, die Herstellung und den Verkauf von Power -Halbleitern und integrierten Schaltungen (ICs) spezialisiert hat. Das Unternehmen wurde 1983 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Milpitas, Kalifornien. IXYS ist global präsent, mit Operationen und Kunden in über 60 Ländern auf der ganzen Welt.

IXYS bietet eine breite Palette von Produkten und Lösungen, darunter Power -MOSFETs, bipolare Stromtransistoren, Thyristoren, Dioden und ICs für Leistungsmanagement- und Kontrollanwendungen. Die Produkte des Unternehmens werden in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet, darunter erneuerbare Energien, Industrie-, Automobil- und Unterhaltungselektronik.

IXYS ist bekannt für seine Expertise in der Power-Halbleitertechnologie und seine Fähigkeit, seinen Kunden hohe Leistung und kostengünstige Lösungen zu bieten. Das Unternehmen engagiert sich für Innovation, Forschung und Entwicklung und engagiert sich aktiv an der Entwicklung neuer Technologien und Lösungen für den Power -Halbleitermarkt. IXYS ist ein anerkannter Marktführer auf dem Power Semiconductor-Markt und bietet seinen Kunden weiterhin qualitativ hochwertige Produkte und Dienstleistungen an.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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