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VS-ENV020F65U Datenblatt (PDF) - Vishay Siliconix
VS-ENV020F65U Datasheet PDF - Vishay Siliconix
Teilenummer VS-ENV020F65U_V01
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Hersteller  VISHAY [Vishay Siliconix]
Direct Link  http://www.vishay.com
Logo VISHAY - Vishay Siliconix
Bauteilbeschribung EMIPAK 1B PressFit Power Module 650 V HF Output Rectification, Flexible Configuration, 20 A

VS-ENV020F65U Datasheet (PDF)

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Hersteller  VISHAY [Vishay Siliconix]
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Bauteilbeschribung EMIPAK 1B PressFit Power Module 650 V HF Output Rectification, Flexible Configuration, 20 A

VS-ENV020F65U Datenblatt (HTML) - Vishay Siliconix


VS-ENV020F65U Produktdetails

FEATURES
• FRED Pt® diode technology
• Exposed Al2O3 substrate with low thermal
resistance
• Ultra soft reverse recovery
• Low internal inductances
• Qualified using AQG324 guideline as reference
• PressFit pins locking technology
PATENT(S): www.vishay.com/patents
• Material categorization: for definitions of compliance
please see www.vishay.com/doc?99912




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Über Vishay Siliconix

Vishay Siliconix ist eine Tochtergesellschaft von Vishay Intertechnology, einem globalen Hersteller passiver elektronischer Komponenten.
Vishay Siliconix ist spezialisiert auf das Design, die Herstellung und Vermarktung von Energie -MOSFETs, IGBTs und anderen Power -Halbleitern.
Das Unternehmen wurde 1962 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Santa Clara, Kalifornien.
Vishay Siliconix bietet Power Solutions für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter erneuerbare Energiesysteme, Industriegeräte, Computer und Telekommunikation sowie Automobilelektronik.
Die Produkte des Unternehmens sind für hohe Effizienz, geringem Stromverbrauch und hohe Zuverlässigkeit ausgelegt und werden in hochmodernen Einrichtungen mit fortschrittlichen Herstellungsprozessen hergestellt.
Mit dem Fokus auf Innovation und Kundenzufriedenheit setzt sich Vishay Siliconix dafür ein, den Kunden die besten Stromverwaltungslösungen für ihre Bedürfnisse zu bieten.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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