TSHA4401 Datenblatt(PDF) - Vishay Siliconix

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TSHA4401 Datenblatt (PDF) - Vishay Siliconix

TSHA4401 Datasheet PDF - Vishay Siliconix


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Hersteller	VISHAY [Vishay Siliconix]

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Infrared Emitting Diode, 875 nm, GaAlAs

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Hersteller	VISHAY [Vishay Siliconix]

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Bauteilbeschribung	Infrared Emitting Diode, 875 nm, GaAlAs

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TSHA4401 Produktdetails

DESCRIPTION
The TSHA440. series are infrared, 875 nm emitting diodes in
GaAlAs technology, molded in a clear, untinted plastic
package.

FEATURES
• Package type: leaded
• Package form: T-1
• Dimensions (in mm): Ø 3
• Peak wavelength: p = 875 nm
• High reliability
• Angle of half intensity:  = ± 20°
• Low forward voltage
• Suitable for high pulse current operation
• Good spectral matching with Si photodetectors
• Material categorization: for definitions of compliance
please see www.vishay.com/doc?99912

Ähnliche Teilenummer - TSHA4401

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Vishay Siliconix	TSHA4401	83Kb / 5P	GaAlAs Infrared Emitting Diodes in ø 3 mm (T–1) Package 20-May-99
	TSHA4401	106Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 875 nm, GaAlAs 16-Sep-08
	TSHA4401	119Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, 875 nm, GaAlAs 15-Sep-14
	TSHA4401	117Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, 875 nm, GaAlAs 15-Sep-14
	TSHA4401	117Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, 875 nm, GaAlAs 15-Sep-14

Ähnliche Beschreibung - TSHA4401

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Vishay Siliconix	TSHA5200	114Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, 875 nm, GaAlAs 29-Jun-09
	TSHA6200	115Kb / 6P	Infrared Emitting Diode, 875 nm, GaAlAs 25-Jun-09
	TSHA6500	101Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, 875 nm, GaAlAs 06-Oct-09
	TSHA5200	107Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, 875 nm, GaAlAs 24-Aug-11
	TSHA5500	105Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, 875 nm, GaAlAs 24-Aug-11
	TSHA6200	109Kb / 6P	Infrared Emitting Diode, 875 nm, GaAlAs 24-Aug-11
	TSHA4401	117Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, 875 nm, GaAlAs 15-Sep-14
	TSHA5500	104Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, 875 nm, GaAlAs 24-Aug-11
	TSHA6203	108Kb / 6P	Infrared Emitting Diode, 875 nm, GaAlAs 24-Aug-11
	TSHA6500	113Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, 875 nm, GaAlAs 24-Aug-11

Über Vishay Siliconix

Vishay Siliconix ist eine Tochtergesellschaft von Vishay Intertechnology, einem globalen Hersteller passiver elektronischer Komponenten.
Vishay Siliconix ist spezialisiert auf das Design, die Herstellung und Vermarktung von Energie -MOSFETs, IGBTs und anderen Power -Halbleitern.
Das Unternehmen wurde 1962 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Santa Clara, Kalifornien.
Vishay Siliconix bietet Power Solutions für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter erneuerbare Energiesysteme, Industriegeräte, Computer und Telekommunikation sowie Automobilelektronik.
Die Produkte des Unternehmens sind für hohe Effizienz, geringem Stromverbrauch und hohe Zuverlässigkeit ausgelegt und werden in hochmodernen Einrichtungen mit fortschrittlichen Herstellungsprozessen hergestellt.
Mit dem Fokus auf Innovation und Kundenzufriedenheit setzt sich Vishay Siliconix dafür ein, den Kunden die besten Stromverwaltungslösungen für ihre Bedürfnisse zu bieten.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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