P5N60FI Datenblatt(PDF)

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P5N60FI Datenblatt (PDF) - STMicroelectronics

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P5N60FI Produktdetails

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR

■ TYPICAL RDS(on)= 1.33 Ω
■ AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY
■ 100% AVALANCHE TESTED
■ REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100°C
■ APPLICATION ORIENTED CHARACTERIZATION

APPLICATIONS
■ HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING
■ SWITCH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)
■ CHOPPER REGULATORS, CONVERTERS, MOTOR CONTROL,
LIGHTING FOR INDUSTRIAL AND CONSUMER ENVIRONMENT

Ähnliche Beschreibung - P5N60FI

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
STMicroelectronics	STD2NA60	172Kb / 10P	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR Nov-1996
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	STP15N05L	201Kb / 10P	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR Nov-1996
	STP32N05L	201Kb / 10P	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR Nov-1996
	STP32N06L	201Kb / 10P	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR Nov-1996
	STP53N08	77Kb / 5P	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR Mar-1996
	STP5N30L	198Kb / 10P	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR Nov-1996
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Über STMicroelectronics

Stmicroelectronics ist ein multinationaler Elektronik- und Halbleiterhersteller mit Sitz in Genf, Schweiz.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten an, darunter Mikrocontroller, Sensoren, Stromverstärker und integrierte Schaltkreise für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

STMICROELECTRONICS wurde 1987 gegründet und ist in über 100 Ländern betrieben und ist eines der größten Halbleiterunternehmen der Welt.

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