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TS9410VB Datenblatt (PDF) - Vishay Siliconix

TS9410VB Datasheet PDF - Vishay Siliconix
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Bauteilbeschribung Specification of High Power IR Emitting Diode Chip

TS9410VB Datasheet (PDF)

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Bauteilbeschribung Specification of High Power IR Emitting Diode Chip

TS9410VB Datenblatt (HTML) - Vishay Siliconix


TS9410VB Produktdetails

DESCRIPTION
TS9410VB is a high power infrared, 940 nm surface emitting
diode in GaAlAs technology with high radiant power and
high speed. Polarity configuration is “n-up”.

FEATURES
• Package type: chip
• Package form: single chip
• Technology: surface emitter
• Dimensions chip (L x W x H in mm):
0.260 x 0.260 x 0.17
• Peak wavelength:  = 940 nm
• Material categorization:
for definitions of compliance please see
www.vishay.com/doc?99912




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Über Vishay Siliconix


Vishay Siliconix ist eine Tochtergesellschaft von Vishay Intertechnology, einem globalen Hersteller passiver elektronischer Komponenten.
Vishay Siliconix ist spezialisiert auf das Design, die Herstellung und Vermarktung von Energie -MOSFETs, IGBTs und anderen Power -Halbleitern.
Das Unternehmen wurde 1962 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Santa Clara, Kalifornien.
Vishay Siliconix bietet Power Solutions für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter erneuerbare Energiesysteme, Industriegeräte, Computer und Telekommunikation sowie Automobilelektronik.
Die Produkte des Unternehmens sind für hohe Effizienz, geringem Stromverbrauch und hohe Zuverlässigkeit ausgelegt und werden in hochmodernen Einrichtungen mit fortschrittlichen Herstellungsprozessen hergestellt.
Mit dem Fokus auf Innovation und Kundenzufriedenheit setzt sich Vishay Siliconix dafür ein, den Kunden die besten Stromverwaltungslösungen für ihre Bedürfnisse zu bieten.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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