STGB10NB37LZ Datenblatt(PDF)

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STGB10NB37LZ Produktdetails

Description
This IGBT utilizes the advanced PowerMESH™
process resulting in an excellent trade-off
between switching performance and low on-state
behavior. The built in collector-gate Zener exhibits
a very precise active clamping while the gateemitter Zener supplies an ESD protection.

Features
■ Low threshold voltage
■ Low on-voltage drop
■ Low gate charge
■ High current capability
■ High voltage clamping feature

Applications
■ Automotive ignition

Ähnliche Beschreibung - STGB10NB37LZ

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Motorola, Inc	MGP20N14CL	77Kb / 4P	Internally Clamped, N-Channel IGBT
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	MGP15N38CL	71Kb / 4P	Internally Clamped N-Channel IGBT
	MGP15N40CL	100Kb / 8P	Internally Clamped N-Channel IGBT April, 2000 ??Rev. 1
	MGP15N43CL	70Kb / 4P	Internally Clamped N-Channel IGBT
STMicroelectronics	STGB10NB37LZ	92Kb / 8P	N-CHANNEL CLAMPED 10A D2PAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBT Jun-1999
	STGB7NB40LZ	391Kb / 8P	N-CHANNEL CLAMPED 14A - D2PAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH™ IGBT Mar-2003
	STGB18N40LZ	632Kb / 18P	EAS 180 mJ - 400 V - internally clamped IGBT 07-Mar-2008
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	STGB18N40LZ	896Kb / 19P	EAS 180 mJ - 390 V - internally clamped IGBT 18-May-2009

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Über STMicroelectronics

Stmicroelectronics ist ein multinationaler Elektronik- und Halbleiterhersteller mit Sitz in Genf, Schweiz.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten an, darunter Mikrocontroller, Sensoren, Stromverstärker und integrierte Schaltkreise für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

STMICROELECTRONICS wurde 1987 gegründet und ist in über 100 Ländern betrieben und ist eines der größten Halbleiterunternehmen der Welt.

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