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STP65N150M9 Datenblatt (PDF) - STMicroelectronics
STP65N150M9 Datasheet PDF - STMicroelectronics
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Hersteller  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
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Bauteilbeschribung N-channel 650 V, 128 mΩ typ., 20 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO-220 package

STP65N150M9 Datasheet (PDF)

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Bauteilbeschribung N-channel 650 V, 128 mΩ typ., 20 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO-220 package

STP65N150M9 Datenblatt (HTML) - STMicroelectronics


STP65N150M9 Produktdetails

Description
This N-channel Power MOSFET is based on the most innovative super-junction
MDmesh M9 technology, suitable for medium/high voltage MOSFETs featuring very
low RDS(on) per area. The silicon based M9 technology benefits from a multi-drain
manufacturing process which allows an enhanced device structure. The resulting
product has one of the lower on-resistance and reduced gate charge values,
among all silicon based fast switching super-junction Power MOSFETs, making
it particularly suitable for applications that require superior power density and
outstanding efficiency.

Features
• Worldwide best FOM RDS(on)*Qg among silicon-based devices
• Higher VDSS rating
• Higher dv/dt capability
• Excellent switching performance
• Easy to drive
• 100% avalanche tested
• Zener-protected

Applications
• High efficiency switching applications




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Über STMicroelectronics

Stmicroelectronics ist ein multinationaler Elektronik- und Halbleiterhersteller mit Sitz in Genf, Schweiz.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten an, darunter Mikrocontroller, Sensoren, Stromverstärker und integrierte Schaltkreise für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

STMICROELECTRONICS wurde 1987 gegründet und ist in über 100 Ländern betrieben und ist eines der größten Halbleiterunternehmen der Welt.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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