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2SC5289-T1 Datenblatt (PDF) - Renesas Technology Corp

2SC5289-T1 Datasheet PDF - Renesas Technology Corp
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Bauteilbeschribung NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR L-BAND LOW-POWER AMPLIFIER

2SC5289-T1 Datasheet (PDF)

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Hersteller  RENESAS [Renesas Technology Corp]
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Bauteilbeschribung NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR L-BAND LOW-POWER AMPLIFIER

2SC5289-T1 Datenblatt (HTML) - Renesas Technology Corp


2SC5289-T1 Produktdetails

The 2SC5289 is ideal for the final stage amplifier in 1.9G Hz-band digital
cordless phones (DECT, PHS, etc.).

FEATURES
• P–1 = 27 dBm TYP.
@f = 1.9 GHz, VCC = 3.6 V, ICq = 1 mA (Class AB), Duty = 1/8
• 4-Pin Mini Mold Package
EIAJ: SC-61




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Über Renesas Technology Corp


Renesas Technology Corp ist ein japanisches Halbleiterunternehmen, das eine breite Palette von Mikrocontrollern, System-auf-Chips sowie Analog- und Stromversorgungsgeräten für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte bietet.
Das Unternehmen wurde 2010 durch die Fusion der NEC Electronics Corporation und der Renesas Technology Corporation gegründet.
Renesas ist einer der größten Mikrocontroller -Lieferanten der Welt und ist bekannt für sein Fachwissen in der Entwicklung fortschrittlicher Technologien in Bereichen wie dem Internet of Things (IoT), künstlicher Intelligenz (KI) und Automobilelektronik.
Das Unternehmen hat in über 20 Ländern betrieben und seine Produkte werden in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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