1SS303 Datenblatt(PDF)

Datenblatt-Suchmaschine für elektronische Bauteile

1SS303 Datenblatt (PDF) - Renesas Technology Corp

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1SS303 Produktdetails

HIGH SPEED SWITCHING
SILICON EPITAXIAL DOUBLE DIODE : COMMON ANODE

FEATURES
• Low capacitance: Ct = 2.5 pF TYP.
• High speed switching: trr = 4.0 ns MAX.
• Wide applications including switching, limitter, clipper.
• Double diode configuration assures economical use.

Ähnliche Beschreibung - 1SS303

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
ON Semiconductor	BAS16TT1	123Kb / 8P	Silicon Switching Diode March, 2000 ??Rev. 0
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ON Semiconductor	BAS16TT1	63Kb / 6P	Silicon Switching Diode May, 2004 ??Rev. 2
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Über Renesas Technology Corp

Renesas Technology Corp ist ein japanisches Halbleiterunternehmen, das eine breite Palette von Mikrocontrollern, System-auf-Chips sowie Analog- und Stromversorgungsgeräten für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte bietet.
Das Unternehmen wurde 2010 durch die Fusion der NEC Electronics Corporation und der Renesas Technology Corporation gegründet.
Renesas ist einer der größten Mikrocontroller -Lieferanten der Welt und ist bekannt für sein Fachwissen in der Entwicklung fortschrittlicher Technologien in Bereichen wie dem Internet of Things (IoT), künstlicher Intelligenz (KI) und Automobilelektronik.
Das Unternehmen hat in über 20 Ländern betrieben und seine Produkte werden in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet.

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