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2SA733 Datenblatt (PDF) - Renesas Technology Corp

2SA733 Datasheet PDF - Renesas Technology Corp
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2SA733 Datenblatt (HTML) - Renesas Technology Corp


2SA733 Produktdetails

DESCRIPTION
The 2SA733 is designed for use in diver stage of AF amplifier.
FEATURES
• High hFE and Excellent Linearity: 200 TYP.
hFE (VCE = −6.0 V, IC = −1.0 mA)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Maximum Temperature
Storage Temperature −55 to +150°C
Junction Temperature +150°C Maximum
Maximum Power Dissipations (TA = 25°C)
Total Power Dissipation 250 mW
Maximum Voltages and Currents (TA = 25°C)
VCBO Collector to Base Voltage −60 V
VCEO Collector to Emitter Voltage −50 V
VEBO Emitter to Base Voltage −5.0 V
IC Collector Current −100 mA
IB Base Current −20 mA
Note Pulse Test PW ≤ 350 μs, Duty Cycle ≤ 2%




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Über Renesas Technology Corp


Renesas Technology Corp ist ein japanisches Halbleiterunternehmen, das eine breite Palette von Mikrocontrollern, System-auf-Chips sowie Analog- und Stromversorgungsgeräten für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte bietet.
Das Unternehmen wurde 2010 durch die Fusion der NEC Electronics Corporation und der Renesas Technology Corporation gegründet.
Renesas ist einer der größten Mikrocontroller -Lieferanten der Welt und ist bekannt für sein Fachwissen in der Entwicklung fortschrittlicher Technologien in Bereichen wie dem Internet of Things (IoT), künstlicher Intelligenz (KI) und Automobilelektronik.
Das Unternehmen hat in über 20 Ländern betrieben und seine Produkte werden in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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