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2SC4551 Datenblatt (PDF) - Renesas Technology Corp

2SC4551 Datasheet PDF - Renesas Technology Corp
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Bauteilbeschribung SILICON POWER TRANSISTOR

2SC4551 Datenblatt (HTML) - Renesas Technology Corp


2SC4551 Produktdetails

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
FOR HIGH-SPEED SWITCHING

The 2SC4551 is a power transistor developed for high-speed
switching and features low VCE(sat) and high hFE. This transistor is
ideal for use in drivers such as DC/DC converters and actuators.
In addition, a small resin-molded insulation type package
contributes to high-density mounting and reduction of mounting cost.

FEATURES
• High hFE and low VCE(sat):
hFE ≥ 100 (VCE = 2 V, IC = 2 A)
VCE(sat) ≤ 0.3 V (IC = 6 A, IB = 0.3 A)
• Mold package that does not require an insulating board or
insulation bushing




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Über Renesas Technology Corp


Renesas Technology Corp ist ein japanisches Halbleiterunternehmen, das eine breite Palette von Mikrocontrollern, System-auf-Chips sowie Analog- und Stromversorgungsgeräten für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte bietet.
Das Unternehmen wurde 2010 durch die Fusion der NEC Electronics Corporation und der Renesas Technology Corporation gegründet.
Renesas ist einer der größten Mikrocontroller -Lieferanten der Welt und ist bekannt für sein Fachwissen in der Entwicklung fortschrittlicher Technologien in Bereichen wie dem Internet of Things (IoT), künstlicher Intelligenz (KI) und Automobilelektronik.
Das Unternehmen hat in über 20 Ländern betrieben und seine Produkte werden in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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