2SJ356 Datenblatt(PDF)

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2SJ356 Datenblatt (PDF) - Renesas Technology Corp

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2SJ356 Produktdetails

P-CHANNEL MOS FET
FOR HIGH-SPEED SWITCHING

The 2SJ356 is a P-channel MOS FET of a vertical type and is
a switching element that can be directly driven by the output of an
IC operating at 5 V.
This product has a low ON resistance and superb switching
characteristics and is ideal for driving the actuators and DC/DC
converters.

FEATURES
• Can be directly driven by 5-V IC
• Low ON resistance
RDS(on) = 0.95 W MAX. @VGS = –4 V, ID = –1.0 A
RDS(on) = 0.50 W MAX. @VGS = –10 V, ID = –1.0 A

Über Renesas Technology Corp

Renesas Technology Corp ist ein japanisches Halbleiterunternehmen, das eine breite Palette von Mikrocontrollern, System-auf-Chips sowie Analog- und Stromversorgungsgeräten für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte bietet.
Das Unternehmen wurde 2010 durch die Fusion der NEC Electronics Corporation und der Renesas Technology Corporation gegründet.
Renesas ist einer der größten Mikrocontroller -Lieferanten der Welt und ist bekannt für sein Fachwissen in der Entwicklung fortschrittlicher Technologien in Bereichen wie dem Internet of Things (IoT), künstlicher Intelligenz (KI) und Automobilelektronik.
Das Unternehmen hat in über 20 Ländern betrieben und seine Produkte werden in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet.

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