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2SJ495 Datenblatt (PDF) - Renesas Technology Corp
2SJ495 Datasheet PDF - Renesas Technology Corp
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Bauteilbeschribung MOS FIELD EFFECT POWER TRANSISTORS

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2SJ495 Datenblatt (HTML) - Renesas Technology Corp


2SJ495 Produktdetails

SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

DESCRIPTION
This product is P-Channel MOS Field Effect Transistor
designed for high current switching applications.

FEATURES
• Super Low On-State Resistance
RDS(on)1 = 30 mW MAX. (VGS = –10 V, ID = –15 A)
RDS(on)2 = 56 mW MAX. (VGS = –4 V, ID = –15 A)
• Low Ciss Ciss = 4120 pF TYP.
• Built-in Gate Protection Diode




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Über Renesas Technology Corp

Renesas Technology Corp ist ein japanisches Halbleiterunternehmen, das eine breite Palette von Mikrocontrollern, System-auf-Chips sowie Analog- und Stromversorgungsgeräten für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte bietet.
Das Unternehmen wurde 2010 durch die Fusion der NEC Electronics Corporation und der Renesas Technology Corporation gegründet.
Renesas ist einer der größten Mikrocontroller -Lieferanten der Welt und ist bekannt für sein Fachwissen in der Entwicklung fortschrittlicher Technologien in Bereichen wie dem Internet of Things (IoT), künstlicher Intelligenz (KI) und Automobilelektronik.
Das Unternehmen hat in über 20 Ländern betrieben und seine Produkte werden in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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