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NVH4L030N120M3S Datenblatt (PDF) - ON Semiconductor
NVH4L030N120M3S Datasheet PDF - ON Semiconductor
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Bauteilbeschribung Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 29 mohm, 1200V, M3S, TO-247-4L

NVH4L030N120M3S Datasheet (PDF)

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NVH4L030N120M3S Datenblatt (HTML) - ON Semiconductor


NVH4L030N120M3S Produktdetails

Features
• Typ. RDS(on) = 29 m @ VGS = 18 V
• Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 107 nC)
• High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 106 pF)
• 100% Avalanche Tested
• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable
• This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a,
Pb−Free 2LI (on second level interconnection)
Typical Applications
• Automotive On Board Charger
• Automotive DC−DC Converter for EV/HEV




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Über ON Semiconductor

ON Semiconductor befindet sich ein börsennotiertes Unternehmen, das eine breite Palette von Halbleiterprodukten für eine Vielzahl von Anwendungen entwirft, entwickelt und herstellt, darunter Automobil-, Computer-, Konsumgüter-, Industrie- und Kommunikationsmärkte.
Das Unternehmen wurde 1999 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Phoenix, Arizona.
Über Semiconductor bietet unter anderem ein breites Portfolio an analogen und diskreten Halbleitern, einschließlich LeistungsmOSFETs, Dioden, Gleichrichter, Spannungsregulatoren.
Die Produkte des Unternehmens sind energieeffizient, zuverlässig und kostengünstig und werden in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet, darunter tragbare Elektronik, industrielle Automatisierungssysteme, erneuerbare Energiesysteme und Automobilelektronik.
Semiconductor engagiert sich für Innovation und Kundenzufriedenheit und setzt sich dafür ein, die besten Halbleiterlösungen für die Bedürfnisse unserer Kunden zu bieten.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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