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SCTWA70N120G2V Datenblatt (PDF) - STMicroelectronics
SCTWA70N120G2V Datasheet PDF - STMicroelectronics
Teilenummer SCTWA70N120G2V
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Hersteller  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
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Bauteilbeschribung Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mΩ typ., 91 A

SCTWA70N120G2V Datasheet (PDF)

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SCTWA70N120G2V Datasheet PDF - STMicroelectronics

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Bauteilbeschribung Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mΩ typ., 91 A

SCTWA70N120G2V Datenblatt (HTML) - STMicroelectronics


SCTWA70N120G2V Produktdetails

Features
• Very fast and robust intrinsic body diode
• Extremely low gate charge and input capacitance
• Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C)

Applications
• Switching mode power supply
• DC-DC converters
• Industrial motor control

Description
This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s
advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device
features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching
performance. The variation of switching loss is almost independent of junction
temperature.




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Über STMicroelectronics

Stmicroelectronics ist ein multinationaler Elektronik- und Halbleiterhersteller mit Sitz in Genf, Schweiz.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten an, darunter Mikrocontroller, Sensoren, Stromverstärker und integrierte Schaltkreise für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

STMICROELECTRONICS wurde 1987 gegründet und ist in über 100 Ländern betrieben und ist eines der größten Halbleiterunternehmen der Welt.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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