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SCT10N120AG Datenblatt (PDF) - STMicroelectronics
SCT10N120AG Datasheet PDF - STMicroelectronics
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Bauteilbeschribung Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 12 A, 520 mΩ (typ., TJ = 150 °C) in an HiP247 package

SCT10N120AG Datasheet (PDF)

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Bauteilbeschribung Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 12 A, 520 mΩ (typ., TJ = 150 °C) in an HiP247 package

SCT10N120AG Datenblatt (HTML) - STMicroelectronics


SCT10N120AG Produktdetails

Features
• AEC-Q101 qualified
• Very tight variation of on-resistance vs. temperature
• Very high operating temperature capability (TJ = 200 °C)
• Very fast and robust intrinsic body diode
• Low capacitance

Applications
• Motor drives
• EV chargers
• High voltage DC-DC converters
• Switch mode power supplies

Description
This silicon carbide Power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative
properties of wide bandgap materials. This results in unsurpassed on-resistance per
unit area and very good switching performance almost independent of temperature.
The outstanding thermal properties of the SiC material, combined with the device’s
housing in the proprietary HiP247 package, allows designers to use an industrystandard
outline with significantly improved thermal capability. These features render
the device perfectly suitable for high-efficiency and high power density applications.




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Über STMicroelectronics

Stmicroelectronics ist ein multinationaler Elektronik- und Halbleiterhersteller mit Sitz in Genf, Schweiz.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten an, darunter Mikrocontroller, Sensoren, Stromverstärker und integrierte Schaltkreise für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

STMICROELECTRONICS wurde 1987 gegründet und ist in über 100 Ländern betrieben und ist eines der größten Halbleiterunternehmen der Welt.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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