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HIP0061AS2 Datenblatt (PDF) - Renesas Technology Corp
HIP0061AS2 Datasheet PDF - Renesas Technology Corp
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Hersteller  RENESAS [Renesas Technology Corp]
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Bauteilbeschribung 60V, 3.5A, 3-Transistor Common Source ESD Protected Power MOSFET Array

HIP0061AS2 Datasheet (PDF)

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Hersteller  RENESAS [Renesas Technology Corp]
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Bauteilbeschribung 60V, 3.5A, 3-Transistor Common Source ESD Protected Power MOSFET Array

HIP0061AS2 Datenblatt (HTML) - Renesas Technology Corp


HIP0061AS2 Produktdetails

Features
• Three 3.5A Power MOS N-Channel Transistors
• Output Voltage to 60V
• rDS(ON). . . . . . 0.225 Max Per Transistor at VGS = 10V
• Pulsed Current . . . . . . . . . . . . . . . 10A Each Transistor
• Avalanche Energy. . . . . . . . . . . 100mJ Each Transistor
• Grounded Tab Eliminates Heat Sink Isolation
Applications
• Automotive
• Appliance
• Industrial Control
• Robotics
• Relay, Solenoid, Lamp Drivers




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Über Renesas Technology Corp

Renesas Technology Corp ist ein japanisches Halbleiterunternehmen, das eine breite Palette von Mikrocontrollern, System-auf-Chips sowie Analog- und Stromversorgungsgeräten für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte bietet.
Das Unternehmen wurde 2010 durch die Fusion der NEC Electronics Corporation und der Renesas Technology Corporation gegründet.
Renesas ist einer der größten Mikrocontroller -Lieferanten der Welt und ist bekannt für sein Fachwissen in der Entwicklung fortschrittlicher Technologien in Bereichen wie dem Internet of Things (IoT), künstlicher Intelligenz (KI) und Automobilelektronik.
Das Unternehmen hat in über 20 Ländern betrieben und seine Produkte werden in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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