74LVC1G126Q Datenblatt(PDF) - Diodes Incorporated

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74LVC1G126Q Datenblatt (PDF) - Diodes Incorporated

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74LVC1G126Q Produktdetails

Features
• Grade 1 Ambient Temperature Operation: -40°C to +125°C
• Wide Supply Voltage Range from 1.65V to 5.5V
• ±24mA Output Drive at 3.3V
• CMOS Low Power Consumption
• IOFF Supports Partial-Power-Down Mode Operation
• Inputs Accept up to 5.5V
• ESD Protection Tested per AEC-Q100
 Exceeds 2000V Human Body Model (AEC-Q100-002)
 Exceeds 1000V Charged Device Model (AEC-Q100-011)
• Latch-Up Exceeds 100mA (AEC-Q100-004)
• Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)
• Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)
• The 74LVC1G126Q is suitable for automotive applications requiring specific change control; this part is AEC-Q100 qualified, PPAP capable, and manufactured in IATF 16949 certified facilities.

Applications
• Voltage Level Shifting
• General Purpose Logic
• Power Down Signal Isolation
• Wide Array of Products, such as:
 Automotive Applications within Grade 1 Temperature Range
 Industrial Computing/Controls/Automation
 High Reliability Networking/Communications
 Industrial/Agricultural Equipment

Ähnliche Teilenummer - 74LVC1G126Q

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
NXP Semiconductors	74LVC1G126	94Kb / 17P	Bus buffer/line driver; 3-state 2004 Sep 21
	74LVC1G126	90Kb / 16P	Bus buffer/line driver; 3-state Rev. 07-30 August 2007
	74LVC1G126	98Kb / 16P	Bus buffer/line driver; 3-state Rev. 08-9 April 2009
Diodes Incorporated	74LVC1G126	268Kb / 14P	SINGLE BUFFER GATE WITH 3-STATE OUTPUT DS32103 Rev. 2 - 2
Nexperia B.V. All right...	74LVC1G126	272Kb / 18P	Bus buffer/line driver; 3-state Rev. 16 - 18 January 2022

Ähnliche Beschreibung - 74LVC1G126Q

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Diodes Incorporated	74LVC1G125	268Kb / 14P	SINGLE BUFFER GATE WITH 3-STATE OUTPUT DS32202 Rev. 2 - 2
	74LVCE1G125	287Kb / 14P	SINGLE BUFFER GATE WITH 3-STATE OUTPUT DS32216 Rev. 2 - 2
	74LVCE1G126	286Kb / 14P	SINGLE BUFFER GATE WITH 3-STATE OUTPUT DS32217 Rev. 2 - 2
	74AHC1G125	206Kb / 9P	SINGLE BUFFER GATE WITH 3-STATE OUTPUT Rev 1
	74AHCT1G125	232Kb / 9P	SINGLE BUFFER GATE WITH 3-STATE OUTPUT MAY 2011
	74AUP1G126	214Kb / 13P	SINGLE BUFFER GATE WITH 3-STATE OUTPUT Rev 1
	74LVC1G126W5-7	199Kb / 12P	SINGLE BUFFER GATE WITH 3-STATE OUTPUT Rev 7
	74AHC1G125Q	548Kb / 9P	SINGLE BUFFER GATE WITH 3-STATE OUTPUT August 2020 Rev. 1 - 2
	74AHC1G126Q	730Kb / 9P	SINGLE BUFFER GATE WITH 3-STATE OUTPUT March 2023 Rev. 2 - 2
	74LVC1G125Q	544Kb / 10P	SINGLE BUFFER GATE WITH 3-STATE OUTPUT June 2020 Rev. 2 - 2

Über Diodes Incorporated

DioDes Incorporated ist ein börsennotiertes Unternehmen, das eine breite Palette von diskreten, analogen und gemischten Signal-Halbleitern und vollständigen Leistungslösungen entwirft, produziert und liefert.
Das Unternehmen wurde 1964 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Plano, Texas.
Es arbeitet weltweit mit Vertriebs-, Support- und Designzentren in Nordamerika, Europa und Asien.
DioDes Incorporated dient einer Vielzahl von Branchen, darunter Automobil, Kommunikation, Computer, Verbraucher und Industrie.
Das Unternehmen bietet unter anderem eine breite Palette von Produkten, darunter Dioden, Gleichrichter, Transistoren, Spannungsregulatoren, MOSFETs, LED -Treiber und Schutzgeräte.
Die Mission des Unternehmens ist es, den Kunden qualitativ hochwertige, qualitativ zuverlässige Produkte und hervorragende Kundenservice zu bieten.
Mit dem Fokus auf Innovation und Kundenzufriedenheit ist DioDes Incorporated verpflichtet, ein führender Anbieter von Power Management -Lösungen zu werden.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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