RJP6016JPE Datenblatt(PDF)

Datenblatt-Suchmaschine für elektronische Bauteile

RJP6016JPE Datenblatt (PDF) - Renesas Technology Corp

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RJP6016JPE Produktdetails

Features
 For Automotive application
 AEC-Q101 compliant
 Low collector to emitter saturation voltage.
VCE(sat) = 1.7 V typ. (IC = 20 A, VGE = 15 V, Ta = 25 C)

Ähnliche Beschreibung - RJP6016JPE

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Renesas Technology Corp	RJH60F3DPQ-A0	94Kb / 8P	600 V - 20 A - IGBT High Speed Power Switching
	RJP60F0DPE	87Kb / 7P	600 V - 25 A - IGBT High Speed Power Switching
	RJP60F5DPM	87Kb / 7P	600 V - 40 A - IGBT High Speed Power Switching
	RJP6016JPE	91Kb / 7P	600 V - 40 A- N Channel IGBT High Speed Power Switching
	RJH60F0DPQ-A0	95Kb / 8P	600 V - 25 A - IGBT High Speed Power Switching
	RJH60F5DPQ-A0	94Kb / 8P	600 V - 40 A - IGBT High Speed Power Switching
	RJH60F6DPQ-A0	95Kb / 8P	600 V - 45 A - IGBT High Speed Power Switching
	RJH6086BDPK	100Kb / 8P	600 V - 45 A - IGBT High Speed Power Switching
	RJP60F0DPE	87Kb / 7P	600 V - 25 A - IGBT High Speed Power Switching
	RJP60F0DPM	86Kb / 7P	600 V - 25 A - IGBT High Speed Power Switching

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Über Renesas Technology Corp

Renesas Technology Corp ist ein japanisches Halbleiterunternehmen, das eine breite Palette von Mikrocontrollern, System-auf-Chips sowie Analog- und Stromversorgungsgeräten für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte bietet.
Das Unternehmen wurde 2010 durch die Fusion der NEC Electronics Corporation und der Renesas Technology Corporation gegründet.
Renesas ist einer der größten Mikrocontroller -Lieferanten der Welt und ist bekannt für sein Fachwissen in der Entwicklung fortschrittlicher Technologien in Bereichen wie dem Internet of Things (IoT), künstlicher Intelligenz (KI) und Automobilelektronik.
Das Unternehmen hat in über 20 Ländern betrieben und seine Produkte werden in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet.

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