RJU36B1WDPF Datenblatt(PDF)

Datenblatt-Suchmaschine für elektronische Bauteile

RJU36B1WDPF Datenblatt (PDF) - Renesas Technology Corp

RJU36B1WDPF Datasheet PDF - Renesas Technology Corp


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360V - 20A - Dual Diode Ultra Fast Recovery Diode

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RJU36B1WDPF Produktdetails

Features
• Ultra fast reverse recovery time: trr = 40 ns typ. (at IF = 10 A, di/dt = 100 A/μs)
• Low forward voltage: VF = 1.1 V typ. (at IF = 10 A)
• Low reverse current: IR = 1 μA max. (at VR = 360 V)

Ähnliche Beschreibung - RJU36B1WDPF

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Renesas Technology Corp	RJU36B1WDPK-M0	62Kb / 4P	Dual Diode Ultra Fast Recovery Diode
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	RJU3052SDPD-E0	61Kb / 4P	360V - 20A - Single Diode Ultra Fast Recovery Diode
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	RJU3051SDPE	101Kb / 4P	360V - 10A - Single Diode Ultra Fast Recovery Diode
	RJU3052SDPD-E0	61Kb / 4P	360V - 20A - Single Diode Ultra Fast Recovery Diode
Rohm	SH2104WN	1Mb / 4P	650V 20A Fast Recovery Diode 2022.10 - Rev.A
Renesas Technology Corp	RJU36B2WDPF	130Kb / 4P	360V - 40A - Dual Diode Ultra Fast Recovery Diode Dec 06, 2013

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Über Renesas Technology Corp

Renesas Technology Corp ist ein japanisches Halbleiterunternehmen, das eine breite Palette von Mikrocontrollern, System-auf-Chips sowie Analog- und Stromversorgungsgeräten für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte bietet.
Das Unternehmen wurde 2010 durch die Fusion der NEC Electronics Corporation und der Renesas Technology Corporation gegründet.
Renesas ist einer der größten Mikrocontroller -Lieferanten der Welt und ist bekannt für sein Fachwissen in der Entwicklung fortschrittlicher Technologien in Bereichen wie dem Internet of Things (IoT), künstlicher Intelligenz (KI) und Automobilelektronik.
Das Unternehmen hat in über 20 Ländern betrieben und seine Produkte werden in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet.

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