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ISL70020SEHMX Datenblatt (PDF) - Renesas Technology Corp

ISL70020SEHMX Datasheet PDF - Renesas Technology Corp
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Bauteilbeschribung 40V, 65A Enhancement Mode GaN Power Transistors

ISL70020SEHMX Datasheet (PDF)

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Bauteilbeschribung 40V, 65A Enhancement Mode GaN Power Transistors

ISL70020SEHMX Datenblatt (HTML) - Renesas Technology Corp


ISL70020SEHMX Produktdetails

Features
• Very low rDS(ON) 3.5mΩ (typical)
• Ultra low total gate charge 19nC (typical)
• ISL70020SEH radiation acceptance testing
○ High dose rate (50-300rad(Si)/s): 100krad(Si)
○ Low dose rate (0.01rad(Si)/s): 75krad(Si)
• ISL73020SEH radiation acceptance testing
○ Low dose rate (0.01rad(Si)/s): 75krad(Si)
• SEE hardness (see the SEE report for details)
○ SEL/SEB LETTH (VDS = 40V, VGS = 0V):
86.4MeV•cm2/mg
• Ultra small hermetically sealed 4 Ld Surface Mount
Device (SMD) package
○ Package area: 42mm2
• Full military-temperature range operation
○ TA = -55°C to +125°C
○ TJ = -55°C to +150°C
Applications
• Switching regulation
• Motor drives
• Relay drives
• Inrush protection
• Down hole drilling
• High reliability industrial




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Über Renesas Technology Corp


Renesas Technology Corp ist ein japanisches Halbleiterunternehmen, das eine breite Palette von Mikrocontrollern, System-auf-Chips sowie Analog- und Stromversorgungsgeräten für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte bietet.
Das Unternehmen wurde 2010 durch die Fusion der NEC Electronics Corporation und der Renesas Technology Corporation gegründet.
Renesas ist einer der größten Mikrocontroller -Lieferanten der Welt und ist bekannt für sein Fachwissen in der Entwicklung fortschrittlicher Technologien in Bereichen wie dem Internet of Things (IoT), künstlicher Intelligenz (KI) und Automobilelektronik.
Das Unternehmen hat in über 20 Ländern betrieben und seine Produkte werden in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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