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N6006NZ Datenblatt (PDF) - Renesas Technology Corp
N6006NZ Datasheet PDF - Renesas Technology Corp
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Hersteller  RENESAS [Renesas Technology Corp]
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Bauteilbeschribung N-channel MOSFET 600V, 6A, 1.2Ω

N6006NZ Datasheet (PDF)

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Bauteilbeschribung N-channel MOSFET 600V, 6A, 1.2Ω

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N6006NZ Produktdetails

Description
The N6006NZ is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.
Features
• Low on-state resistance
RDS (on) = 1.2Ω MAX. (VGS = 10 V, ID = 3.0 A)
• Low input capacitance
Ciss = 1385pF TYP. (VDS = 10V, VGS = 0 V)
• High current
ID(DC) = ±6.0 A
• RoHS Compliant




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Über Renesas Technology Corp

Renesas Technology Corp ist ein japanisches Halbleiterunternehmen, das eine breite Palette von Mikrocontrollern, System-auf-Chips sowie Analog- und Stromversorgungsgeräten für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte bietet.
Das Unternehmen wurde 2010 durch die Fusion der NEC Electronics Corporation und der Renesas Technology Corporation gegründet.
Renesas ist einer der größten Mikrocontroller -Lieferanten der Welt und ist bekannt für sein Fachwissen in der Entwicklung fortschrittlicher Technologien in Bereichen wie dem Internet of Things (IoT), künstlicher Intelligenz (KI) und Automobilelektronik.
Das Unternehmen hat in über 20 Ländern betrieben und seine Produkte werden in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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