NE960R2 Datenblatt(PDF)

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NE960R2 Datenblatt (PDF) - Renesas Technology Corp

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NE960R2 Produktdetails

DESCRIPTION
The NE960R2 Series are 0.2 W GaAs MES FETs designed for middle power transmitter applications for X, Kuband
microwave communication systems. It is capable of delivering 0.2 watt of output power (CW) with high linear gain, high efficiency and low distortion and are suitable as driver amplifiers for our X, Ku-band amplifiers etc. The NE960R200 is available in chip form. The NE960R200 has a via hole source grounding and PHS (Plated Heat Sink) for superior RF performance. The NE960R275 is available in a hermetically sealed ceramic package. Reliability and performance uniformity are assured by NEC’s stringent quality and control procedures.

FEATURES
• High Output Power
• High Linear Gain
• High Power Added Efficiency

Über Renesas Technology Corp

Renesas Technology Corp ist ein japanisches Halbleiterunternehmen, das eine breite Palette von Mikrocontrollern, System-auf-Chips sowie Analog- und Stromversorgungsgeräten für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte bietet.
Das Unternehmen wurde 2010 durch die Fusion der NEC Electronics Corporation und der Renesas Technology Corporation gegründet.
Renesas ist einer der größten Mikrocontroller -Lieferanten der Welt und ist bekannt für sein Fachwissen in der Entwicklung fortschrittlicher Technologien in Bereichen wie dem Internet of Things (IoT), künstlicher Intelligenz (KI) und Automobilelektronik.
Das Unternehmen hat in über 20 Ländern betrieben und seine Produkte werden in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet.

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