BCV28 Datenblatt(PDF) - NXP Semiconductors

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BCV28 Datenblatt (PDF) - NXP Semiconductors

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BCV28 Produktdetails

DESCRIPTION
PNP Darlington transistor in a SOT89 plastic package.
NPN complements: BCV29 and BCV49.

FEATURES
• Very high DC current gain (min. 10000)
• High current (max. 500 mA)
• Low voltage (max. 60 V).

APPLICATIONS
• Where very high amplification is required.

Ähnliche Teilenummer - BCV28

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NXP Semiconductors	BCV28	126Kb / 8P	PNP Darlington transistors 2004 Dec 06
Infineon Technologies A...	BCV28	72Kb / 8P	PNP Silicon Darlington Transistors 2007-04-20

Ähnliche Beschreibung - BCV28

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SEMTECH ELECTRONICS LTD...	BCV26	130Kb / 2P	PNP Darlington Transistors
NXP Semiconductors	BCV26	122Kb / 7P	PNP Darlington transistors 2004 Jan 13
	BSP60	126Kb / 7P	PNP Darlington transistors 2001 May 31
	BCV28	126Kb / 8P	PNP Darlington transistors 2004 Dec 06
	BCV26	122Kb / 7P	PNP Darlington transistors 2004 Jan 13
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Über NXP Semiconductors

NXP Semiconductors ist ein öffentlich gehandeltes multinationales Unternehmen, das eine breite Palette von Halbleitern und integrierten Schaltungen für verschiedene Anwendungen entwirft und herstellt, einschließlich Automobil-, Industrie-, Kommunikations- und Verbrauchermärkte.
Das Unternehmen wurde 2006 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Eindhoven, Niederlande.
NXP bietet ein breites Produktportfolio an, darunter Mikrocontroller, Mikroprozessoren, sichere Authentifizierungs -ICs, ICs, ICs, RF- und Mikrowellenkomponenten sowie Sensorlösungen.
Die Produkte des Unternehmens sind energieeffizient, sicher und zuverlässig und werden in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet, einschließlich Automobilsysteme, industrielle Automatisierung und Steuerung, intelligente Häuser und Gebäude sowie angeschlossene Geräte.
NXP widmet sich der Innovation und der Kundenzufriedenheit und setzt sich dafür ein, den Kunden die besten Halbleiterlösungen zur Verfügung zu stellen, um ihre Bedürfnisse zu erfüllen.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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