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NP100P06PLG Datenblatt (PDF) - Renesas Technology Corp
NP100P06PLG Datasheet PDF - Renesas Technology Corp
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Bauteilbeschribung -60V – -100A – P-channel Power MOS FET Application : Automotive

NP100P06PLG Datasheet (PDF)

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NP100P06PLG Datenblatt (HTML) - Renesas Technology Corp


NP100P06PLG Produktdetails

Description
This product is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.
Features
 Super low on-state resistance : RDS(on) = 6.0 m Max. ( VGS = -10 V, ID = -50 A )
RDS(on) = 7.8 m Max. ( VGS = -4.5 V, ID = -50 A )
 Low input capacitance : Ciss = 15000 pF Typ.
 Built-in gate protection diode
 Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified.
 Pb-free (This product does not contain Pb in the external electrode)




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Über Renesas Technology Corp

Renesas Technology Corp ist ein japanisches Halbleiterunternehmen, das eine breite Palette von Mikrocontrollern, System-auf-Chips sowie Analog- und Stromversorgungsgeräten für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte bietet.
Das Unternehmen wurde 2010 durch die Fusion der NEC Electronics Corporation und der Renesas Technology Corporation gegründet.
Renesas ist einer der größten Mikrocontroller -Lieferanten der Welt und ist bekannt für sein Fachwissen in der Entwicklung fortschrittlicher Technologien in Bereichen wie dem Internet of Things (IoT), künstlicher Intelligenz (KI) und Automobilelektronik.
Das Unternehmen hat in über 20 Ländern betrieben und seine Produkte werden in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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