NX6351GP Datenblatt(PDF)

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NX6351GP Datenblatt (PDF) - Renesas Technology Corp

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NX6351GP Produktdetails

1 270/1 290/1 310/1 330/1 350 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE
FOR 9.8 Gb/s CPRI and 10G E-PON ONU APPLICATION

DESCRIPTION
The NX6351GP series is a 1 270/1 290/1 310/1 330/1 350 nm Multiple
Quantum Well (MQW) structured Distributed Feed-Back (DFB) laser
diode with InGaAs monitor PIN-PD.
APPLICATIONS
• 9.8 Gbps CPRI
• 10G E-PON ONU
FEATURES
• Optical output power PO = 8.5 mW
• Low threshold current Ith = 7 mA
• Differential efficiency ηd = 0.35 W/A
• Wide operating temperature range TC = −40 to +85°C
• InGaAs monitor PIN-PD
• CAN package φ 5.6 mm
• Focal point 10.2 mm

Über Renesas Technology Corp

Renesas Technology Corp ist ein japanisches Halbleiterunternehmen, das eine breite Palette von Mikrocontrollern, System-auf-Chips sowie Analog- und Stromversorgungsgeräten für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte bietet.
Das Unternehmen wurde 2010 durch die Fusion der NEC Electronics Corporation und der Renesas Technology Corporation gegründet.
Renesas ist einer der größten Mikrocontroller -Lieferanten der Welt und ist bekannt für sein Fachwissen in der Entwicklung fortschrittlicher Technologien in Bereichen wie dem Internet of Things (IoT), künstlicher Intelligenz (KI) und Automobilelektronik.
Das Unternehmen hat in über 20 Ländern betrieben und seine Produkte werden in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet.

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