NX6353EP33 Datenblatt(PDF)

Datenblatt-Suchmaschine für elektronische Bauteile

NX6353EP33 Datenblatt (PDF) - Renesas Technology Corp

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NX6353EP33 Produktdetails

1 270/1 290/1 310/1 330/1 350 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE
FOR 9.8Gbps CPRI, 10G Ethernet APPLICATION

DESCRIPTION
The NX6353EP series is a 1 270/1 290/1 310/1 330/1 350 nm Multiple
Quantum Well (MQW) structured Distributed Feed-Back (DFB) laser diode
with InGaAs monitor PIN-PD.
APPLICATIONS
• 9.8 Gbps CPRI
• 10G Ethernet
FEATURES
• Optical output power PO = 8.5 mW
• Low threshold current Ith = 7 mA
• Differential efficiency ηd = 0.35 W/A
• Wide operating temperature range TC = −40 to +85°C
• InGaAs monitor PIN-PD
• CAN package φ 5.6 mm
• Focal point 6.2 mm

Über Renesas Technology Corp

Renesas Technology Corp ist ein japanisches Halbleiterunternehmen, das eine breite Palette von Mikrocontrollern, System-auf-Chips sowie Analog- und Stromversorgungsgeräten für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte bietet.
Das Unternehmen wurde 2010 durch die Fusion der NEC Electronics Corporation und der Renesas Technology Corporation gegründet.
Renesas ist einer der größten Mikrocontroller -Lieferanten der Welt und ist bekannt für sein Fachwissen in der Entwicklung fortschrittlicher Technologien in Bereichen wie dem Internet of Things (IoT), künstlicher Intelligenz (KI) und Automobilelektronik.
Das Unternehmen hat in über 20 Ländern betrieben und seine Produkte werden in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet.

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