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NX6506GH Datenblatt (PDF) - Renesas Technology Corp

NX6506GH Datasheet PDF - Renesas Technology Corp
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NX6506GH Datenblatt (HTML) - Renesas Technology Corp


NX6506GH Produktdetails

1 550 nm InGaAsP MQW-DFB LASER DIODE
FOR 622 Mb/s, 1.25 Gb/s

DESCRIPTION
The NX6506 Series is a 1 550 nm Multiple Quantum Well (MQW)
structured Distributed Feed-Back (DFB) laser diode with InGaAs monitor PINPD.
APPLICATIONS
• STM-1, STM-4, ITU-T recommendations
• FTTH PON (Fiber To The Home Passive Optical Network)
• 1.25 Gb/s: Gigabit Ethernet
FEATURES
• Optical output power Po = 5.0 mW
• Low threshold current lth = 10 mA
• Differential efficiency ηd = 0.25 W/A
• Side mode suppression ratio SMSR = 40 dB
• Wide operating temperature range TC = −20 to +85°C
• InGaAs monitor PIN-PD
• CAN package φ 5.6 mm
• Focal point 7.5 mm




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Über Renesas Technology Corp


Renesas Technology Corp ist ein japanisches Halbleiterunternehmen, das eine breite Palette von Mikrocontrollern, System-auf-Chips sowie Analog- und Stromversorgungsgeräten für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte bietet.
Das Unternehmen wurde 2010 durch die Fusion der NEC Electronics Corporation und der Renesas Technology Corporation gegründet.
Renesas ist einer der größten Mikrocontroller -Lieferanten der Welt und ist bekannt für sein Fachwissen in der Entwicklung fortschrittlicher Technologien in Bereichen wie dem Internet of Things (IoT), künstlicher Intelligenz (KI) und Automobilelektronik.
Das Unternehmen hat in über 20 Ländern betrieben und seine Produkte werden in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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