1SS123 Datenblatt(PDF)

Datenblatt-Suchmaschine für elektronische Bauteile

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1SS123 Produktdetails

HIGH SPEED SWITCHING
SILICON EPITAXIAL DOUBLE DIODES : SERIES CONNECTED
MINI MOLD

Ähnliche Beschreibung - 1SS123

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
ON Semiconductor	BAS16TT1	123Kb / 8P	Silicon Switching Diode March, 2000 ??Rev. 0
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Infineon Technologies A...	BAW101	429Kb / 3P	Silicon Switching Diode Sep-24-2003
Leshan Radio Company	LBAS16WT1	166Kb / 4P	Silicon Switching Diode
ON Semiconductor	BAS16TT1	63Kb / 6P	Silicon Switching Diode May, 2004 ??Rev. 2
Guangdong Kexin Industr...	1SS222	36Kb / 1P	SILICON SWITCHING DIODE
Infineon Technologies A...	BAS21	119Kb / 9P	Silicon Switching Diode 2007-04-19
Infineon Technologies A...	BAW56	153Kb / 12P	Silicon Switching Diode 2007-09-19
ON Semiconductor	BAS16TT1G	128Kb / 5P	Silicon Switching Diode October, 2010 -- Rev. 3
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Über Renesas Technology Corp

Renesas Technology Corp ist ein japanisches Halbleiterunternehmen, das eine breite Palette von Mikrocontrollern, System-auf-Chips sowie Analog- und Stromversorgungsgeräten für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte bietet.
Das Unternehmen wurde 2010 durch die Fusion der NEC Electronics Corporation und der Renesas Technology Corporation gegründet.
Renesas ist einer der größten Mikrocontroller -Lieferanten der Welt und ist bekannt für sein Fachwissen in der Entwicklung fortschrittlicher Technologien in Bereichen wie dem Internet of Things (IoT), künstlicher Intelligenz (KI) und Automobilelektronik.
Das Unternehmen hat in über 20 Ländern betrieben und seine Produkte werden in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet.

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