DMTH6010LPDWQ Datenblatt(PDF) - Diodes Incorporated

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DMTH6010LPDWQ Datenblatt (PDF) - Diodes Incorporated

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60V 175°C DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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DMTH6010LPDWQ Produktdetails

Description and Applications
This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of
automotive applications. It is qualified to AEC-Q101, supported by a
PPAP and is ideal for use in:
 Engine management systems
 Body control electronics
 DC-DC converters

Features and Benefits
 Rated to +175°C – Ideal for High Ambient Temperature
Environments
 100% Unclamped Inductive Switching (UIS) Test in Production –
Ensures More Reliable and Robust End Application
 High Conversion Efficiency
 Low Input Capacitance
 Fast Switching Speed
 Wettable Flank for Improved Optical Inspection
 Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)
 Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)
 The DIODES™ DMTH6010LPDWQ is suitable for automotive
applications requiring specific change control; this part is
AEC-Q101 qualified, PPAP capable, and manufactured in
IATF 16949 certified facilities.
https://www.diodes.com/quality/product-definitions/

Ähnliche Teilenummer - DMTH6010LPDWQ

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Diodes Incorporated	DMTH6010LPD	321Kb / 7P	60V 175C DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Rev 2
	DMTH6010LPD	527Kb / 9P	60V 175°C DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Rev. 3 - 2 November 2021
	DMTH6010LPD-13	321Kb / 7P	60V 175C DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Rev 2
	DMTH6010LPD-13	527Kb / 9P	60V 175°C DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Rev. 3 - 2 November 2021
	DMTH6010LPDQ	371Kb / 7P	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Rev 2

Ähnliche Beschreibung - DMTH6010LPDWQ

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Diodes Incorporated	DMNH6042SPSQ	542Kb / 7P	60V 175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI August 2016
	DMPH6050SPDQ	530Kb / 7P	175°C 60V DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI October 2016
	DMPH6050SSDQ	531Kb / 7P	175°C 60V DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET September 2016
	DMTH6016LFDFWQ	435Kb / 8P	60V 175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET January 2021
	DMTH6010LPDQ	538Kb / 9P	60V 175°C DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Rev. 4 - 2 December 2021
	DMTH6010LPD	527Kb / 9P	60V 175°C DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Rev. 3 - 2 November 2021
	DMNH6035SPDWQ	752Kb / 7P	60V 175°C DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET March 2023 Rev. 8 - 2
	DMTH31M7LPSQ	374Kb / 8P	175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET June 2020 Rev. 2 - 2
	DMTH6016LFVW	553Kb / 7P	60V 175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET September 2018 Rev. 3 - 2
	DMTH6016LFVWQ	553Kb / 7P	60V 175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET September 2018 Rev. 4 - 2

Über Diodes Incorporated

DioDes Incorporated ist ein börsennotiertes Unternehmen, das eine breite Palette von diskreten, analogen und gemischten Signal-Halbleitern und vollständigen Leistungslösungen entwirft, produziert und liefert.
Das Unternehmen wurde 1964 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Plano, Texas.
Es arbeitet weltweit mit Vertriebs-, Support- und Designzentren in Nordamerika, Europa und Asien.
DioDes Incorporated dient einer Vielzahl von Branchen, darunter Automobil, Kommunikation, Computer, Verbraucher und Industrie.
Das Unternehmen bietet unter anderem eine breite Palette von Produkten, darunter Dioden, Gleichrichter, Transistoren, Spannungsregulatoren, MOSFETs, LED -Treiber und Schutzgeräte.
Die Mission des Unternehmens ist es, den Kunden qualitativ hochwertige, qualitativ zuverlässige Produkte und hervorragende Kundenservice zu bieten.
Mit dem Fokus auf Innovation und Kundenzufriedenheit ist DioDes Incorporated verpflichtet, ein führender Anbieter von Power Management -Lösungen zu werden.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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