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HS-303BEH Datenblatt (PDF) - Renesas Technology Corp

HS-303BEH Datasheet PDF - Renesas Technology Corp
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HS-303BEH Datasheet (PDF)

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HS-303BEH Datenblatt (HTML) - Renesas Technology Corp


HS-303BEH Produktdetails

Features
• QML, per MIL-PRF-38535
• Radiation performance
○ Total dose: 3x105rad(Si)
○ SEE: For LET = 60MeV•cm2/mg at 60° incident
angle, <150pC charge transferred to the output of
an off switch (based on SOI design calculations)
• No latch-up, dielectrically isolated device islands
• Pinout and functionally compatible with Renesas
HS-303RH and HI-303 series analog switches
• Analog signal range equal to the supply voltage
range
• Low leakage: 100nA (max, post-rad)
• Low rON: 70Ω (max, post-rad)
• Low standby supply current: +150μA/-100μA
(max, post-rad)




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Über Renesas Technology Corp


Renesas Technology Corp ist ein japanisches Halbleiterunternehmen, das eine breite Palette von Mikrocontrollern, System-auf-Chips sowie Analog- und Stromversorgungsgeräten für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte bietet.
Das Unternehmen wurde 2010 durch die Fusion der NEC Electronics Corporation und der Renesas Technology Corporation gegründet.
Renesas ist einer der größten Mikrocontroller -Lieferanten der Welt und ist bekannt für sein Fachwissen in der Entwicklung fortschrittlicher Technologien in Bereichen wie dem Internet of Things (IoT), künstlicher Intelligenz (KI) und Automobilelektronik.
Das Unternehmen hat in über 20 Ländern betrieben und seine Produkte werden in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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